FUJI富士IGBT模塊-第七代X芯片技術的1700V產品批量供貨

2020-09-30 11:56:28 Westpac Electronics 991

FUJI富士IGBT模塊-第七代X芯片技術的1700V產品批量供貨

兩單元,適用于中壓變頻器,高壓變頻器,SVG,風電變流器等行業應用。

近年來,從全球變暖對策的觀點出發,需要減少CO2排放。 能源轉換效率的提高和風能,太陽能等可再生能源的使用正在擴大。 隨著這種趨勢,每個功率轉換器的輸出電流趨于擴大,并且對作為關鍵器件的大容量IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的需求正在擴大。 同時,上述裝置也需要高度可靠,因為它構成了社會基礎設施的一部分。

富士電機開發了第七代“X系列”IGBT模塊的1,700 V產品,以滿足這種電源轉換設備的輸出電流擴展,功耗降低和高可靠性的需求。

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2-Pack 1700V級

在X系列1,700 V IGBT模塊中,采用X系列芯片技術,與傳統產品(V系列)相比,發電損耗顯著降低。下一個雙XT

(M254)顯示使用封裝比較模塊的電流額定值為450 A,額定電壓為1700 V的結果。

圖1顯示了IGBT的飽和電壓和關斷能量的權衡特性,圖2顯示了FWD(自由輪式二極管)的正向電壓和反向恢復能量的權衡特性。在這兩款X系列IGBT中,與V系列IGBT相比,采用最新的小型化技術和減薄技術可將飽和電壓降低約0.4 V,關斷能量降低約12%。改善寬度。在X系列FWD中,采用最新的薄晶圓技術,正向電壓降低了約0.2 V.此外,壽命控制的優化實現了平滑的反向恢復波形,并將反向恢復能量降低了大約17%。

圖3顯示了功耗的計算結果。與V系列相比,X系列在載波頻率為1 kHz時功耗降低了約13%。

在X系列中,傳統產品的連續工作結溫Tvjop已從150°C擴展到175°C,以提高輸出電流。為了擴展Tvjop,有必要提高ΔTvj功率循環容量,即耐溫度變化量和絕緣硅凝膠的耐熱性,這會影響高溫下的長期可靠性。在X系列中,通過開發新的焊接材料和在半導體芯片上應用新的布線鍵合技術,在Tvjmax = 175°C和ΔTvj= 50°C的條件下,容量提高約為傳統產品的兩倍。它實現了。此外,采用新型高耐熱性有機硅凝膠可抑制175°C環境下的凝膠固化,確保長期絕緣性能。

此外,為了有效地消散半導體芯片的焦耳熱,我們使用具有高導熱率的AlN來應用高散熱絕緣基板。圖4顯示了瞬態熱阻特性。與使用Al 2 O 3絕緣基板的常規產品相比,對于相同的芯片尺寸,接頭和殼體之間的熱阻減小了約45%。

圖5顯示了Dual XT封裝中X系列最大額定值600 A模塊和V系列最大額定值450 A.

顯示了逆變器輸出電流和焦耳中IGBT結溫的計算結果。 通過采用上述最新的X系列芯片技術和封裝技術,與傳統產品相比,X系列1,700 V系列產品的輸出電流提高了約30%。 該產品可滿足電源轉換設備的小型化,低功耗和高可靠性的需求。

第7代 X系列


PackageIc1700V
X series
FUJI富士IGBT威柏德電子
M263
 75A2MBI75XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
100A2MBI100XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
150A2MBI150XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
200A
FUJI富士IGBT威柏德電子
M276
FUJI富士IGBT威柏德電子
 
150A2MBI150XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
200A2MBI200XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
300A2MBI300XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
400A2MBI400XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子




第7代 X系列

※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

PackageIc1700V
X series
FUJI富士IGBT威柏德電子
M254
FUJI富士IGBT威柏德電子
Solder pins
225A2MBI225XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
300A2MBI300XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
450A2MBI450XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
600A2MBI600XNG170-50 FUJI富士IGBT威柏德電子
FUJI富士IGBT威柏德電子
M285*2
FUJI富士IGBT威柏德電子
Solder pins
600A2MBI600XNE170-50FUJI富士IGBT威柏德電子
800A2MBI800XRNE170-50


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2012年威柏電子榮獲富士電機最佳銷售金獎(暨富士最大代理商獎)
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威柏電子榮獲富士電機半導體最佳銷售金獎(暨富士電機半導體最大代理商獎)

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